金属材料强度全国重点实验室研发的“无漂移相变存储材料”于《自然—材料》发表
2025年10月1日,《自然—材料》(Nature Materials)在线发表了以《无电阻漂移的非晶相变存储材料》(Amorphous phase-change memory alloy with no resistance drift)为题的研究论文。相变存储器利用硫族化合物非晶相与晶体相之间的电阻差异实现数据存储。而非晶材料通常具有自发结构弛豫的特点,对于相变存储材料而言(如商用锗锑碲合金GST),其非晶相电阻值会随时间的推移而自发漂移,这对于精准多值编程带来了巨大挑战,极...
2025-10-02
